一、           TFT-LCD定义

TFT-LCD是Thin FilmTransistor LiquidCrystal Display的缩写，中文翻译为薄膜晶体管液晶显示器，它是利用薄膜晶体管来产生开关电压，以控制液晶转向的显示器。

二、信利（仁寿）G5 TFT-LCD生产线介绍

1、信利（仁寿）G5 TFT-LCD生产线玻璃基板尺寸为1300mm*1100mm，兼容a-Si TFT-LCD技术、LTPSTFT-LCD(LowTemperature Ploy Silicon)技术和IGZO TFT-LCD技术；可以生产各种TFT产品。ARRAY大板月产量140K，CF大板月产量100K。

(IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)为氧化铟镓锌的缩写)

2、此生产线有最先进的光配向技术。可以满足客户高端产品的需求。

3、此生产线的a-si产品可以做到350ppi,LTPS产品能够做到500ppi以上。主要针对的市场是车载/工业/智能显示市场，目前车载/工业/智能家居等市场产品主流是150-200PPI产品，所以这条产线完全可以满足这些市场未来10年的发展需求。

(Pixels Per Inch所表示的是每英寸所拥有的像素（Pixel）数目。)

4、此生产线曝光机的解像力分别有2.5um、3um、4um、5um、6um、8um，蚀刻后可得到的最小线条分别有2.5um、3um、4um、5um、6um、8um。

5、本公司整个生产线涵盖由素玻璃基板投入至产出模组的全部工序，整个生产均自动化完成。

三、TFT-LCD结构

1、a-Si TFT阵列结构

a-Si（非晶硅）技术在液晶领域成熟度高，其器件结构简单，一般都为1T1C（1个TFT薄膜晶体管电路，1个存储电容），本项目80%产品采用此项技术。阵列工程使用外购的专用玻璃基板，充分清洗后在其表面上通过化学气相沉积(CVD)的方法形成半导体膜或隔离膜，通过溅射镀膜的方法形成金属膜，各膜层厚度为几百埃米至几千埃米，1埃米=0.1纳米=0.0001微米；然后门电路制程、TFT小岛制程、源/漏极制程、保护层(绝缘层）制程、ITO制程即做成阵列玻璃基板。

    2、LTPSTFT阵列结构

该技术和非晶硅技术主要的区别是利用准分子激光晶化的方式，将非晶硅薄膜变为多晶硅，从而将电子迁移率从0.5 cm²/V-s提高到50-100 cm²/V-s，以满足高阶液晶显示需求。LTPS和非晶硅a-Si的主要区别是增加了准分子激光晶化过程和离子注入过程，其它的加工工艺基本相同，设备也和非晶硅生产有相通之处。

3、IGZO TFT阵列结构  

该技术TFT基板在加工过程中，采取液晶行业中常见的、成熟的大面积的溅镀成膜的方式，氧化物为InGaO₃(ZnO)₅，缩写为IGZO，尽管这种器件的电子迁移率较LTPS技术生产出来的产品要低，基本为10~50 cm²/V-sec，但这个迁移率参数为非晶硅技术器件的20倍以上，该器件电子迁移率完全能够满足高阶液晶显示要求。

4、CF结构

彩色滤光片(Color Filter，简称CF)，基本结构是由玻璃基板(Glass Substrate)、黑色矩阵(Black Matrix)、彩色层(Color Layer)、OC层、PS层及ITO导电膜所组成

5、CELL结构

CELL制程即是成盒工序，是将TFT制程制作的TFT阵列基板与CF制程制作的CF基板经由PI定向膜、ODF、封装、检测等工程后两者贴合成盒的工序。